প্রসারণ বাধা সহ স্লাইসসেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং, থার্মোইলেকট্রিক মডিউল, ডিটেক্টর ডিভাইস এবং উচ্চ-নির্ভুল ইলেকট্রনিক উপাদানগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত অপরিহার্য কাঠামোগত উপাদান। এই ইঞ্জিনিয়ারড স্লাইসগুলি স্তরগুলির মধ্যে উপাদানের প্রসারণ, ডিভাইসের স্থায়িত্ব, পরিবাহিতা এবং দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতা রক্ষা করে। সঠিক প্রসারণ বাধা ব্যতীত, পদার্থগুলি উচ্চ তাপমাত্রা বা বৈদ্যুতিক চাপের অধীনে স্তরগুলির মধ্যে স্থানান্তর করতে পারে, যা কার্যক্ষমতা হ্রাস বা ডিভাইস ব্যর্থতার দিকে পরিচালিত করে। এই বিস্তৃত নির্দেশিকায়, আমরা কাঠামো, কার্যকারিতা, উপকরণ, উত্পাদন কৌশল, অ্যাপ্লিকেশন, এবং বিস্তারের বাধা সহ স্লাইসের কার্যকারিতা সুবিধাগুলি অন্বেষণ করি। এই নিবন্ধটি কিভাবে হাইলাইটফুঝো এক্স-মেরিটান টেকনোলজি কোং, লি.উচ্চ-কর্মক্ষমতা থার্মোইলেকট্রিক এবং সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলির জন্য উন্নত সমাধান সরবরাহ করে।
| আবেদন | বাধা বেধ | সাধারণ উপকরণ |
|---|---|---|
| থার্মোইলেকট্রিক মডিউল | 1-10 µm | Ni, Ti, Mo |
| সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং | 0.1-5 µm | TiN, TaN |
| পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স | 2-15 µm | Ni, W, Cr |
| উপাদান | সুবিধা | সাধারণ ব্যবহার |
|---|---|---|
| নিকেল (Ni) | চমৎকার আনুগত্য এবং বিস্তার প্রতিরোধের | থার্মোইলেকট্রিক মডিউল |
| টাইটানিয়াম নাইট্রাইড (TiN) | খুব শক্তিশালী প্রসারণ বাধা | সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস |
| টংস্টেন (W) | উচ্চ তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা | উচ্চ ক্ষমতার ইলেকট্রনিক্স |
| ট্যানটালাম নাইট্রাইড (TaN) | শক্তিশালী রাসায়নিক স্থিতিশীলতা | মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স |
| মলিবডেনাম (Mo) | চমৎকার তাপ প্রতিরোধের | থার্মোইলেকট্রিক উপকরণ |
| বৈশিষ্ট্য | বাধা ছাড়াই | বাধা দিয়ে |
|---|---|---|
| উপাদান স্থায়িত্ব | কম | উচ্চ |
| তাপ নির্ভরযোগ্যতা | পরিমিত | চমৎকার |
| বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা | সময়ের সাথে সাথে অধঃপতন হয় | স্থিতিশীল |
| ডিভাইস লাইফটাইম | খাটো | উল্লেখযোগ্যভাবে দীর্ঘ |
| উৎপাদন খরচ | প্রাথমিকভাবে কম | উচ্চতর কিন্তু আরো নির্ভরযোগ্য |
